[서울=뉴스핌] 정경환 기자 = 삼성전자는 황성우 종합기술원 부원장(부사장)을 종합기술원장(사장)으로 승진 임명한다고 20일 밝혔다.

황성우 삼성전자 종합기술원장(사장) [사진=삼성전자]

황 사장은 프린스턴대 전기공학 박사 출신으로, 삼성전자 종합기술원 나노 일렉트로닉스 랩(Nano Electronics Lab)장, 디바이스 앤드 시스템(Device & System)연구센터장 등을 거쳤다.

2017년 11월부터 종합기술원 부원장을 맡아 미래 신기술 발굴 및 전자 계열사 연구개발 역량 제고에 기여한 바 있다.

삼성전자 측은 황 사장에 대해 "이번 승진과 함께 종합기술원장으로서 차세대 연구개발(R&D) 경쟁력 강화를 주도적으로 이끌 것으로 기대된다"고 전했다.

◇ 약력

△ 1962년생
△ Princeton대학교 전기공학(1993년 박사)
△ 서울대학교 전자공학(1985년 학사, 1987년 석사)
△ 1993. 4 ~ 1995. 2 일본 NEC 기초연구소 연구원
△ 1995. 3 ~ 2012. 1 고려대학교 전기전자전파공학부 교수
△ 2012. 2 ~ 2014.12 삼성전자 종합기술원 Nano Electronics Lab장
△ 2014.12 ~ 2015.12 삼성전자 종합기술원 Device Lab장
△ 2015.12 ~ 2017.11 삼성전자 종합기술원 Device & System연구센터장
△ 2017.11 ~ 현재 삼성전자 종합기술원 부원장

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