[서울=뉴스핌] 배정원 기자 = 삼성전자의 반도체 제조 관련 핵심 기술을 중국에 유출한 혐의를 받는 전 삼성전자 연구원이 16일 구속 갈림길에 놓였다.

서울중앙지법 이민수 영장전담 부장판사는 이날 오전 10시30분 부정경쟁방지 및 영업비밀보호에 관한 법률 위반 혐의를 받는 A씨에 대한 구속 전 피의자 심문(영장실질심사)을 진행한다.

서울 서초동 서울중앙지법. [사진=뉴스핌DB]

전날 서울경찰청 안보수사대는 지난 2014년 삼성전자가 독자 개발한 20나노급 D램 기술을 중국 반도체 업체 '청두가오전'에 넘긴 혐의를 받는 A씨에 대해 구속영장을 신청했다.

경찰은 A씨가 700여개 반도체 제작 과정이 담긴 삼성전자의 기술 공정도를 유출했다고 보고 있다.

A씨는 공정도를 자체적으로 만든 것이라고 주장했지만, 경찰은 해당 공정도를 삼성전자의 기술로 판단했다.

중국 반도체 업체 청두가오전은 과거 삼성전자 임원과 하이닉스 부사장을 지낸 최모 씨가 설립한 업체로 A씨는 이 업체의 핵심 임원인 것으로 알려졌다.

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