[서울=뉴스핌] 김정인 기자 = 경계현 삼성전자 디바이스솔루션(DS) 부문장(사장)은 삼성전자 반도체가 생성형 인공지능(AI)의 속도와 효율을 향상시킬 준비가 됐다며 자신감을 드러냈다.

경 사장은 지난 15일 자신의 사회관계망서비스(SNS)을 통해 "인공지능(AI)과 강력한 시너지를 내는 사업에 종사하는 것은 정말 신나는 일"이라며 "HBM3E 샤인볼트와 같은 삼성전자 반도체 제품은 생성형 AI 애플리케이션의 속도와 효율성을 크게 향상 시킬 준비가 돼 있다"고 말했다.

경계현 삼성전자 반도체(DS) 부문장 사장. [사진=삼성전자]

경 사장은 이어 "우리 엔지니어는 스마트워치, 모바일, 엣지 장치, 클라우드에 이르는 포괄적인 AI 아키텍처와 미래에 필요한 고급 AI 솔루션을 예측하기 위해 노력 중"이라며 "빠르게 진화하는 이 시대가 우리를 어디로 이끌든 당황하지 말라. 삼성 반도체가 AI 비전을 현실로 만드는 데 필요한 솔루션을 제공할 것"이라고 했다.

HBM은 D램 여러 개를 수직으로 연결해 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고성능 메모리다. 업계에선 AI를 뒷받침할 필수적인 메모리로 주목 받고 있다. HDM은 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3)-5세대(HBM3E) 순으로 개발되고 있다.

HBM 시장에서 경쟁사인 SK하이닉스가 앞서고 있다는 평가를 받고 있는 가운데, 경 사장이 HBM3E를 직접 언급한 것은 향후 시장 주도권을 가져오겠다는 의지로 풀이된다. 이를 위해 삼성전자는 올해 HBM 설비투자 규모를 지난해보다 2.5배 이상 늘린다는 방침이다. HBM3E에 이어 다음 세대 제품인 HBM4에서도 시장 경쟁력을 키운다.

앞서 김재준 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅실장(부사장)은 지난해 4분기 실적발표 후 컨퍼런스콜에서 "주요 고객사에 HBM3E 8단(D램 8개를 수직 적층) 샘플 제품을 공급했으며 올해 상반기 내에 양산 준비가 완료될 예정"이라며 "HBM4의 경우 2025년 샘플링, 2026년 양산을 목표로 개발 중"이라고 언급했다.

한편 경 사장은 오는 26일부터 스페인 바로셀로나에서 열리는 세계 최대 이동통신 전시회 'MWC 2024'를 찾아 AI 반도체 관련 고객사들과 비즈니스 미팅을 진행한다. 또 22일 방한하는 짐 켈러 텐스토렌트 최고경영책임자(CEO)와 만나 AI 반도체 협력을 논의할 예정이다. 

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