[세종=뉴스핌] 신수용 기자 = 삼성전자가 6세대 고대역폭메모리(HBM) 생산능력 확충을 위해 평택캠퍼스에 신규 D램 라인을 구축한다.

5일 업계에 따르면 삼성전자는 평택캠퍼스 4공장(P4)에 내년 1분기까지 10나노 6세대(1c) D램 생산 라인을 구축하겠다는 전략을 세웠다. 해당 라인은 월 10∼12만 장의 웨이퍼를 생산할 수 있는 규모로 알려져 있다.

1c D램은 HBM4에 탑재되는 최첨단 D램이다. HBM4에는 총 12개의 1c D램이 탑재된다. 삼성전자는 올해 엔비디아, AMD 등 글로벌 빅테크를 대상으로 HBM4를 공급할 계획이며, 이달 중 양산 공급이 예정된 것으로 전해졌다.

이번 투자는 D램과 낸드플래시 등 메모리 반도체 가격이 급등하고 있는 가운데 생산능력을 빠르게 확대해 수요에 대응하겠다는 전략으로 풀이된다.

시장조사업체 카운터포인트리서치에 따르면 올해 1분기 메모리 가격은 전 분기 대비 80∼90% 상승할 전망이다.

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