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삼성전자, SAP와 손잡고 '차세대 메모리' 개발 추진

기사등록 : 2016-09-29 11:22

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다음달부터 화성 부품연구원 내 공동 리서치센터 운영

[뉴스핌=황세준 기자]  삼성전자가 인메모리 데이터베이스 및 기업용 소프트웨어 세계 1위기업인 SAP와 손잡고 차세대 메모리 개발을 추진한다.

인메모리 데이터베이스란 중앙처리장치(CPU)의 정보를 처리하는 메인 메모리(주기억장치)에 초대용량의 데이터를 저장해 처리 속도를 크게 높이는 기술이다.

삼성전자는 다음달부터 경기도 화성에 있는 자사 부품연구동(DSR)에서 SAP와 차세대 인메모리 플랫폼을 함께 개발하기 위한 '공동 리서치센터'를 운영한다고 29일 밝혔다.

반도체 칩 개발 현장 <출처=신화/뉴시스>

회사측에 따르면 양사는 지난해 인메모리 플랫폼 'SAP HANA' 공동 개발에 합의했고 이후 삼성전자 메모리사업부와 SSAP Labs Korea 간에 리서치센터 설립을 추진했다.

특히 지난 6월 양사는 차세대 초고속·고용량 D램 모듈과 인메모리 기술 개발을 위한 '차세대 인메모리 플랫폼 개발 업무협약(MOU)'을 체결했다.

29일 열린 개소식에는 전영현 삼성전자 사장(메모리사업부장)과 어데어 폭스 마틴(Adaire Fox-Martin) SAP 아시아 태평양 지역 회장 등이 참석했다.

공동 리서치센터는 소형 데이터센터를 운영하는 전용 서버 룸과 양사 연구개발 임직원이 근무하는 사무실로 구성한다.

양사는 글로벌 고객들이 'SAP HANA'를 도입하기 전 리서치센터에서 시험 운용 등 제반 지원을 통적의 최적의 솔루션을 제공할 계획이다. 또 인메모리 시스템용 초고용량 메모리 개발과 도입을 위한 제반 평가도 진행할 예정이다.

아울러 20나노 D램 기반 128GB 3DS(3 Dimensional Stacking, 3차원 수직 적층) 모듈을 탑재해 단일 서버로 최대 24TB급의 인메모리 플랫폼 'SAP HANA'를 구현한 데 이어 향후 10나노급 D램 기반 256GB 3DS 모듈을 탑재해 차세대 시스템의 성능을 더욱 높일 계획이다.

전영현 사장은 "삼성전자는 10나노급 D램 양산으로 SAP의 차세대 인메모리 시스템에 최적의 솔루션을 적기에 제공할 수 있게 됐다"며 "향후 기술 리더십을 더욱 강화해 '초고용량 메모리 시대'를 지속 주도해 나갈 것"이라고 강조했다.

마틴 회장은 "SAP는 삼성전자와 함께 SAP HANA 플랫폼을 이용하는 고객사를 위한 차세대 인메모리 솔루션을 개발할 계획"이라며 "이번 협력을 통해 삼성전자와 보다 포괄적인 파트너십을 맺게 됐다. 이는 혁신을 달성하고 디지털 경제에서 고객의 성공적인 비즈니스를 지원하기 위한 노력의 일환"이라고 밝혔다.

 

[뉴스핌 Newspim] 황세준 기자 (hsj@newspim.com)

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