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삼성전자, 2027년 1.4나노 공정 도입키로

기사등록 : 2022-10-04 09:51

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美 '삼성파운드리포럼'서 사업전략 공개

[서울=뉴스핌] 김지나 기자 = 삼성전자가 3일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 '삼성 파운드리 포럼 2022(Samsung Foundry Forum 2022)'를 열고, 파운드리 신기술과 사업 전략을 공개했다.

3년만에 오프라인으로 개최된 올해 삼성 파운드리 포럼에는 팹리스 고객·협력사·파트너 등 500여 명이 참석한 가운데 진행됐다.

미국 실리콘밸리에서 열린 '삼성 파운드리 포럼 2022'에서 최시영 파운드리사업부장(사장)이 발표를 하고 있는 모습. [사진=삼성전자]

삼성전자는 선단 파운드리 공정 혁신과 함께 차세대 패키징 적층 기술 개발에 박차를 가하고 있다.

삼성전자는 2015년 핀펫(FinFET) 트랜지스터를 세계 최초로 양산하고, 지난 6월 GAA(Gate All Around) 트랜지스터 기술을 적용한 3나노 1세대 공정 양산을 세계 최초로 시작했으며, 앞선 양산 노하우를 기반으로 3나노 응용처를 확대하고 있다.

또한, 삼성전자는 GAA 기반 공정 기술 혁신을 지속해 2025년에는 2나노, 2027년에는 1.4나노 공정을 도입할 계획이다.

삼성전자는 공정 혁신과 동시에 2.5D·3D 이종 집적(Heterogeneous Integration) 패키징 기술 개발도 가속화한다.

특히, 삼성전자는 3나노 GAA 기술에 삼성 독자의 MBCFET(Multi Bridge Channel FET) 구조를 적용하는 한편 3D IC 솔루션도 제공하며 고성능 반도체 파운드리 서비스를 제공할 예정이다.

삼성전자는 HPC(High Performance Computing), 오토모티브(차량용 반도체), 5세대이동통신(5G), 사물인터넷(IoT) 등 고성능 저전력 반도체 시장을 적극 공략해, 2027년까지 모바일을 제외한 제품군의 매출 비중을 50% 이상으로 키워 갈 계획이다.

삼성전자는 지난 6월 세계최초로 3나노 공정 기반의 HPC 제품을 양산한데 이어, 4나노 공정을 HPC와 오토모티브로 확대한다. eNVM(embedded Non-Volatile Memory)과 RF도 다양한 공정을 개발해 고객 니즈에 맞춘 파운드리 서비스를 제공한다.

삼성전자는 현재 양산 중인 28나노 차량용 eNVM 솔루션을 2024년 14나노로 확대하고, 향후 8나노 eNVM 솔루션을 위한 기술도 개발 중이다.

최시영 삼성전자 파운드리사업부장 사장은 "고객의 성공이 삼성전자 파운드리사업부의 존재 이유"라고 강조하며 "삼성전자는 더 나은 미래를 창조하는 파트너로서 파운드리 산업의 새로운 기준이 되겠다"고 말했다.

 

abc123@newspim.com

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